634034, г. Томск, ул. Красноармейская, 99а
тел. (3822) 55-45-47, 55-66-96
факс (3822) 55-50-89
E-mail: opt@niipptomsk.ru, sneg@mail.tomsknet.ru
Web-сайт: www.niipp.ru

Направление работы по полупроводниковому материаловеденю
Исследование и разработка технологии получения эпитаксиальных структур соединений АЗБ5 методом газотранспортных реакций. На основе проведенных исследований отработаны технологии получения эпитаксиальных структур арсенида галлия и фосфида индия и твердых растворов на их основе для СВЧ-приборов (диоды Ганна, варикапы, смесительные диоды и др.). Автор четырнадцати изобретений и пятидесяти публикаций по данному направлению.

Направление работ по оптоэлектронике

Разработка полупроводниковых ламп для использования в качестве источников света в осветительной и сигнальной технике. Разработанные лампы широко используются в навигационном оборудовании при обустройстве речных путей на реках России (Волга, Кама, Енисей, Амур и др.). Другой тип сигнальных ламп – для светоограждения высотных сооружений (ретрансляторы, линии электропередач, дымовые трубы и пр.) – в настоящее время пользуются повышенным спросом ввиду их высокой надежности малым энергопотреблением и сроком службы более 50 тысяч часов. Разработанные лампы защищены патентами.

Проводится разработка солнечных элементов и батарей на основе монокристаллического кремния и арсенида галлия.

Солнечные батареи, изготовленные в отделе, успешно эксплуатируются в качестве источников энергии для питания ретрансляторов, зарядки аккумуляторов бытовой техники.